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芯片失效分析

 龙芯世纪芯片失效分析主要提供封装去除、层次去除、芯片染色、芯片拍照、大图彩印、电路修改等技术服务项目。
封装去除
    我们利用先进的开盖设备和丰富的操作经验,能够安全快速去除各种类型的芯片封装,专业提供芯片开盖与取晶粒服务。
层次去除
    我们采用先进的刻蚀设备和成熟的刻蚀方法,专业提供去除聚酰亚氨(Polyimide)、去除氧化层(SiO2)、去除钝化层(Si3N4、SiO2)、去除金属层(Al 、CU、W)等芯片去层次技术支持与服务,承诺以完美的刻蚀效果为客户提供专业的芯片处理。
芯片染色
龙芯世纪专业提供芯片阱区染色及ROM码点染色服务。

阱区染色
芯片拍照
    芯片拍照是反向工程中一个重要的环节,为了能够提提供完美的拍照效果,公司购进了最先进的德国莱卡显微镜和蔡司电子显微镜(SEM)等设备,能够拍摄90nm工艺以上的各种芯片的图像。
同时为了更好满足客户浏览图像的需要,龙芯世纪可免费为客户进行图像的三维拼接,能够达到同层图像完整无缝,异层图像精确对准的效果。
大图彩印
    芯片大图彩印是指把芯片数码图像印刷成大幅面纸张照片。龙芯世纪芯片大图彩印主要工艺优势表现在:
大图完整无缝,大图效果就像芯片本身被放大成指定倍率后的效果一样,完全避免了传统拼图中的丢线和图像参差现象发生。
    异层照片精确对准,印刷后的大图严格保留着芯片层间对准关系,提图时可以很方便地进行通孔定位。
精确放大倍率,1um在放大1000倍时,在照片上就是严格的1mm,从而保证精确快捷地测量器件的尺寸。
定位线和微米尺,每幅大图边框上绘制了以微米为单位的坐标系和半透明定位线,以方便用户测量和定位。
电路修改
    我们利用先进的聚焦离子束机(FIB)通过刻蚀和沉积的方法能够修改多层布线的集成电路芯片。主要服务项目包括集成电路芯片引线修改(能够修改最小工艺为90nm);集成电路芯片材料和成分鉴定;微电路故障分析(最小尺寸为40nm);制作纳米级的光电子器件、生物传感器件和超到电子器件等。

龙芯世纪芯片失效分析流程:
    1、外观检查,识别crack,burnt mark等问题,拍照。
    2、非破坏性分析:主要用xray查看内部结构,csam—查看是否存在delamination
    3、进行电测。
    4、进行破坏性分析:即机械机械decap或化学decap等

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